納米材料特有的量子尺寸效應、小尺寸效應、表面/界面效應和宏觀量子隧穿效應，以及半導體納米粒子的庫侖堵塞和量子隧穿效應、介電限域效應、Fano 效應、Kondo 效應等，使得半導體納米材料表現出與宏觀材料具有顯著差異的熱、磁、電、聲、光等性能。金屬鉍是一種重要的半導體功能摻雜材料，尤其鉍系氧化物半導體材料表現出明顯優異的高介電性、鐵電性、催化性、超導性等。  技術指標：     南京理工大學金屬納米材料與技術聯合實驗室研發的具有獨立知識產權的從金屬鉍直接電解合成鉍系納米材料的可控合成工藝，工藝流程短，操作簡單，電解液廉價易得、可重復使用，與環境有很好的相容性，能夠滿足工業化生產所要求的低成本、高效益和高環保。制備的Bi納米片，尺寸大約75 nm，是重要的原材料；鉍氯氧化物BiOCl單晶納米片，平均厚度10 nm，當量直徑30-60 nm，兩個明顯的發光帶分別位于3.12 eV和2.53 eV，可見光照下具有比目前市場上廣泛采用二氧化鈦明顯優越光催化活性；Bi24O31Cl10 單晶納米片自組裝成的納米花，片的平均厚度10-20 nm，在3.64 eV處表現出明顯明顯的紫外光發射；非計量氧化鉍Bi2O2.33納米片，片的平均厚度10-20 nm，在3.44 eV處表現出明顯的紫外光發射，且物理、化學穩定性好。