項目內容：AlN由于導熱性能高、介電性能優異、熱膨脹系數與硅匹配等優點而成為電子封裝的理想材料，但AlN基片材料的金屬化工藝成為推廣其應用的必要途徑。它可滿足我國大功率武器、LED、高速列車和電動車以及工業傳動等裝置的核心功率器件（IGBT）的發展對高性能封裝材料的要求。AlN陶瓷表面金屬化技術屬國內領先水平，達到國際先進水平，產品可取代進口，主要具有如下優點：1、可對AlN陶瓷進行表面薄膜金屬化處理或覆銅處理，可根據需要設計金屬化層的厚度；2、AlN與金屬化層結合強度高；3、生產過程安全穩定，產品合格率可達到95%以上，已按國家軍企標準進行小批量生產。 
主要技術指標：結合強度≥2kg/mm2
應用范圍：大功率激光武器、大功率LED以及高速列車、電子電力控制系統中的電子模塊（IGBT）等大功率器件的基板和封裝材料。 
市場需求分析：高速列車、LED以及智能電網是我國建設節能社會和發展低碳經濟中重點支持的幾大行業，AlN表面金屬基板及封裝材料是這些行業中高端產品和大功率激光武器的關鍵材料之一，但目前這些材料主要依靠進口，國內還沒有企業進行生產，因此建設AlN陶瓷表面金屬化企業符合國家政策和經濟發展的需求，具有廣闊的市場前景。 
技術成熟程度：該技術對制備工藝條件進行了優化，獲得了小批量生產能力，實驗結果經多次重復實驗驗證，證明在優化工藝條件下，產品收率在95%以上，產品性能完全符合要求，數據真實可靠。建立了生產工藝和產品性能的國家軍工企業標準。 
投資條件及效益分析：年生產能力20000片，主要生產裝置總投資1000萬元，其中設備費800萬元，土建費50萬元，安裝費50萬元，流動資金100萬元。預計生產成本500元/片，銷售價格1000元/片，年銷售額2000萬元，年利稅800萬元左右。 
合作方式：一次性技術轉讓或技術入股參與提成。