成果名稱：超高亮度GaN基LED芯片

　　成果擁有單位：廈門大學

　　成果簡介：

　　半導體LED(發(fā)光二極管)具有發(fā)光效率高、多色、節(jié)能、壽命長、響應快、體積小、全固化、冷光源(不發(fā)熱)、綠色環(huán)保(無污染)、驅動容易等許多優(yōu)點，廣泛應用于各種信號和圖像的顯示。近年來國際上在GaN基材料上取得突破進展，研制出高效率的藍色和白色高亮度LED，不但能實現大屏幕全彩色顯示，而且有可能取代目前的白熾燈、熒光燈等用于照明工程，從而徹底改變目前人類的生活。當前國內藍色、白色LED芯片主要還是依靠進口，在國內封裝。國內能生產芯片的廠家不多，而且芯片的發(fā)光效率、發(fā)光功率、正向工作電壓、抗靜電感應能力、工作壽命等性能方面和國外還有一定的差距，具有自主知識產權的技術也不多。所以，研發(fā)生產具有自主知識產權的超高亮度GaN基LED芯片是適應當前的LED形勢，具有很大的發(fā)展前景和良好的經濟效益。

　　目前GaN基材料的P型有效摻雜濃度太低和良好的P型歐姆接觸制備困難，它將降低PN結的注入比、降低發(fā)光效率、增加器件正向工作電壓、使器件發(fā)熱、性能變差，成為約束GaN基材料和器件發(fā)展技術瓶頸。我們提出激光誘導下P型GaN有效摻雜和P型歐姆接觸制備的方法，并獲得表面處空穴濃度3.2×1018cm-3和P型比接觸電阻為2.1×10-4Ωcm2的良好效果，已達國際水平，是目前國內所報道的最好結果。已申請了“激光誘導下氮化鎵P型有效摻雜制備方法”(申請?zhí)枺?00310121093.5，公開號：CN1554576A)和“激光誘導下氮化鎵P型歐姆接觸的制備方法”(申請?zhí)枺?00310121092.0，公開號：CN1554575A)兩項發(fā)明專利。該技術和傳統(tǒng)的芯片制備工藝完全兼容，僅增加濺射和激光誘導兩道工序。采用該技術后，GaN 藍色(或白色)LED的性能將得到大大改善：如正向的工作電壓將從目前國內的3.5V左右降低到3.2V，發(fā)光效率和發(fā)光功率都將得到提高。應用范圍：半導體LED(發(fā)光二極管)芯片生產。目前2英寸直徑的GaN基延片單價$300美元，每個芯片面積約380x380微米，芯片成品率約80%，每片外延片可制備LED芯片 約1萬只。將一片外延片加工為芯片的費用約￥1000元。每個芯片的價格約(￥0.2~1.0元)。具體效益主要由定單決定。

　　合作方式：技術轉讓或技術入股合作研發(fā), 總經費投入約1000萬元人民幣(含技術轉讓費)。

　　聯系方式：

　　聯 系 人：陳 朝，劉寶林

　　聯系電話：0592-2180940(H), 0592-2182458(O)，0592-2188277(O);

　　E - mail：cchen@xmu.edu.cn， blliu@xmu.edu.cn