成果名稱：類金剛石薄膜半導體光電性能和應用的研究

　　成果擁有單位：廈門大學

　　成果簡介：

　　類金剛石半導體薄膜特點：寬帶隙并且可在2ev～5ev范圍內調節。高臨界擊穿電壓、高熱導率、高載流子飽和漂移速度。可在高溫、輻射、腐蝕等惡劣環境下工作。可能在大功率、光電子、抗輻射、顯示、紫外探測等半導體器件獲得應用。具有很高的電子親和勢，可用于制備各種微真空器件的冷陰極。制造成本低。以甲烷、乙炔等氣體為原料采用PECVD等方法生長。本項目處于探索階段，先測量和分析人工生長的類金剛石薄膜各種半導體光電性能，如禁帶寬度、導電類型、遷移率、摻雜濃度、介電常數、折射率、厚度等基本參數和特性，改進材料生長條件，探索類金剛石薄膜材料在半導體光電器件的可能應用。類金剛石半導體薄膜作為最有應用前景的寬帶材料之一，可制備大功率、光電子、抗輻射、顯示、紫外探測等新型半導體器件，可在高溫、輻射、腐蝕等惡劣環境下工作，并有可能用于制備各種功能的微真空器件。投產條件：合作伙伴最好是類金剛石半導體薄膜材料的生產或研發單位，已具有類金剛石半導體薄膜生長設備，能提供研發所需要的類金剛石半導體薄膜。投產資金：10萬元人民幣從事類金剛石薄膜半導體光電基本性能的材料和分析。若需要新建立類金剛石半導體薄膜材料生長設備，另需約30萬元人民幣。預期經濟效益：本項目是源頭創新的研發工作。先投入少量經費開展類金剛石薄膜半導體基本性質的研究，改進現有薄膜材料生長工藝，使所生長的薄膜材料能適應半導體器件的要求;再探索用類金剛石薄膜材料研發各種新型半導體器件的可能性并盡快研發出適合市場需要的新型半導體器件。

　　合作方式：合作開發。

　　聯系方式：

　　聯 系 人：陳 朝

　　聯系電話：0592-2182458(O); 2180940(H)

　　E - mail ：cchen@xmu.edu.cn