美國國防部的科學家們發明了一種能夠增強記憶力的大腦植入物，如果這項全新的技術能夠得到廣泛應用的話，我們很快就可以接觸到這種植入物，并且更好地回憶起往事。據報道，這種新型大腦植入物的電極陣列能夠幫助人們挖掘腦海里最深的記憶。
美國國防高級研究計劃局(DARPA)的研發團隊目前主要的目的是為了幫助那些遭受創傷性腦損傷的人，對那些經常出門忘帶鑰匙的人也會有所幫助。項目經理 Justin Sanchez 在一份新聞稿中表示，每個人都有過試著記住一長串項目或者抵達某個地方的復雜路線的經驗，現在，我們發現植入式神經技術能夠促進這些功能在大腦中的表現。
這是一次創新的過程，它可以“讀取”大腦中的神經過程，并看到我們的思維是如何形成和找回記憶的，甚至能夠預測我們的記憶能力是從什么時候開始讓人失望的。Sanchez 說，他的團隊目前正在尋找點刺激的最佳時機，比如記憶是什么時候形成的，又是什么時候開始找回的。
該研究團隊將一個小型電極陣列放置到志愿者腦海中的一個負責形成聲明式記憶的區域中，這個區域主要用于回憶一些短而簡單的記憶，比如名單列表、空間記憶和導航等等。所有參與這項研究的志愿者并非因為記憶問題而痛苦，他們因為其他的神經系統問題而進行了腦部手術。經過這項測試之后，他們的記憶力得到了非常明顯的提高。
到目前為止，研發團隊還沒有公布這項研究的全部細節，最終的研究成果將會等待評審之后發表在科學雜志上，而其中的一部分研究成果則已經發表在了美國國防高級研究計劃局自己開設的一個技術論壇上。
Sanchez 在接受采訪的時候表示，我們還有很多問題需要解決，比如人類的大腦是如何對聲明式記憶進行編碼的，當然，早期的一些實驗已經闡述了部分問題，并且在幫助人類克服某些類型的記憶障礙方面擁有很大的潛力。
據了解，美國國防高級研究計劃局的科學家們也在尋找通過刺激大腦來實現輔助學習和增強記憶力的方法。我們已經知道，“重復回放”是一個可以幫助我們學習的特別技能，研究團隊將會在今年的晚些時候對那些發生在腦海里的回放過程進行進一步的研究。
